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Séminaire du 13/10/2008
Diode laser émettrice de rayonnement THz par différence de fréquence
Giuseppe LEO (Laboratoire "Matériaux et phénomènes quantiques", Université Paris - Diderot)
Après un bref tour d’horizon sur les activités de recherche de l’équipe Dispositifs Optiques Nonlinéaires du Laboratoire MPQ, je présenterai nos nouveaux projets sur le mélange à trois ondes dans des microcavités semiconductrices. Plus spécifiquement, je discuterai des propriétés électromagnétiques de deux sources intégrées, infrarouges et terahertz, basées sur la génération par différence de fréquence entre modes de galerie.
La première est un microdisque passif en GaAs qui permet de générer de la lumière entre 2.6 et 2.9 micron avec des lasers couramment disponibles. Cette source non linéaire est robuste par rapport aux tolérances de fabrication et la température peut être utilisée pour ajuster finement la longueur d’onde d’émission.
La deuxième est un microcylindre compact en AlGaAs/GaAs qui génère de la radiation THz à température ambiante. Dans ce cas-là, des boîtes quantiques InAs enterrées dans la couche GaAs permettent l’intégration du laser de pompe dans la cavité. En perspective, la compacité de cette structure pourrait permettre de fabriquer des matrices d’émetteurs.
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