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Laboratoire Pierre Aigrain

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Séminaire du 09/06/2008

Nanostructures GaN/AIN pour les applications intersousbandes dans le proche-infrarouge

François H. Julien (Institut d’Electronique Fondamentale, Université Paris-Sud)

Les nitrures d’éléments III (GaN, AlN, et leurs alliages…), grâce à la discontinuité de potentiel très élevée en bande de conduction offerte par leurs hétérostructures (1.7 eV), ouvrent de nouvelles perspectives pour réaliser des dispositifs intersousbandes dans le domaine spectral proche-infrarouge et notamment aux longueurs d’onde des télécommunications par fibre optique (1,3-1,55 μm). A titre d’illustration, je présenterai les travaux récents sur le transport tunnel entre puits quantiques pour la réalisation de modulateurs ultrarapides aux longueurs d’onde télécoms, sur les photodétecteurs GaN/AlN/AlGaN à cascade quantique et sur la luminescence intersousbande de puits quantiques GaN/AlN à température ambiante. Je discuterai enfin les propriétés intrabandes des boîtes quantiques auto-organisées en GaN/AlN et notamment l’observation de la luminescence entre états pz et s à 1,5 μm ainsi que la mesure du T1 et du T2 intrabande.